更新時(shí)間:2024-11-14
簡(jiǎn)要描述:
我公司的帶尾纖的APD探測(cè)器采用Gofoton 的高性能InGaAs APD芯片, 由具有自主產(chǎn)權(quán)的wafer處理及絕熱封裝工藝生產(chǎn)。具有安裝架或安裝凸緣可方便安裝。具有暗電流低、響應(yīng)曲線平坦、光路無(wú)膠、950nm到1625nm的光譜響應(yīng)范圍、具有高穩(wěn)定性的平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)等特點(diǎn)。適用于光時(shí)域反射儀(OTDR)、SONET OC-48/SDH STM-16 光傳輸系統(tǒng)等應(yīng)用。
帶尾纖的APD探測(cè)器(Pigtailed APD)
我公司的帶尾纖的APD探測(cè)器采用Gofoton 的高性能InGaAs APD芯片, 由具有自主產(chǎn)權(quán)的wafer處理及絕熱封裝工藝生產(chǎn)。具有安裝架或安裝凸緣可方便安裝。具有暗電流低、響應(yīng)曲線平坦、光路無(wú)膠、950nm到1625nm的光譜響應(yīng)范圍、具有高穩(wěn)定性的平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)等特點(diǎn)。適用于光時(shí)域反射儀(OTDR)、SONET OC-48/SDH STM-16 光傳輸系統(tǒng)等應(yīng)用。
主要性能指標(biāo):
Operating temperature: -40 ~ 85 ℃
Forward current: <10mA
Reverse Current: <0.5mA
Reverse Breakdown Voltage: <100V (Ir=10uA)
Dark Current: <10nA (0.9 x Vbr)
Responsivity: >0.8A/W
Optical Return Loss: >30dB
Operating Voltage: < Vbr
Fiber length: 1000+/100mm
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